Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2222AWT1G
MMBT2222AWT1G

MMBT2222AWT1G ON Semiconductor

mmbt2222awt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30000+0.88 грн
60000+ 0.87 грн
Мінімальне замовлення: 30000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2222AWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT2222AWT1G за ціною від 0.7 грн до 10.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.16 грн
30000+ 0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9375+1.25 грн
30000+ 0.99 грн
Мінімальне замовлення: 9375
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7178+1.63 грн
15000+ 1.49 грн
30000+ 1.38 грн
45000+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 7178
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7178+1.63 грн
24000+ 1.49 грн
48000+ 1.38 грн
72000+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 7178
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : onsemi mmbt2222awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.66 грн
6000+ 1.51 грн
9000+ 1.29 грн
30000+ 1.12 грн
75000+ 0.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.1 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 39298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3417+3.42 грн
3837+ 3.05 грн
7143+ 1.64 грн
8621+ 1.31 грн
8824+ 1.18 грн
15000+ 1.11 грн
30000+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3417
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+7.82 грн
112+ 5.21 грн
208+ 2.79 грн
1000+ 1.57 грн
2500+ 1.15 грн
10000+ 0.82 грн
30000+ 0.7 грн
Мінімальне замовлення: 75
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 39298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+8.69 грн
92+ 6.34 грн
114+ 5.11 грн
167+ 3.36 грн
250+ 2.84 грн
500+ 2.43 грн
1000+ 1.3 грн
3000+ 1.08 грн
6000+ 1.06 грн
Мінімальне замовлення: 67
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : onsemi MMBT2222AWT1_D-2315860.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SC-70 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 99976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+8.72 грн
49+ 6.37 грн
103+ 2.6 грн
1000+ 1.54 грн
2500+ 1.27 грн
10000+ 1 грн
30000+ 0.93 грн
Мінімальне замовлення: 36
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : onsemi mmbt2222awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 76226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+9.39 грн
43+ 6.61 грн
100+ 3.54 грн
500+ 2.61 грн
1000+ 1.81 грн
Мінімальне замовлення: 31
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
71+10.63 грн
104+ 7.25 грн
220+ 3.41 грн
500+ 3.1 грн
Мінімальне замовлення: 71
MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; ft, МГц = 300; hFE = 100 @ 150 мA, 10 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA; Р, Вт = 0,15 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-323
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
702+0.89 грн
755+ 0.83 грн
817+ 0.76 грн
Мінімальне замовлення: 702
MMBT2222AWT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt2222awt1-d.pdf NPN 600mA 40V 150mW 300MHz MMBT2222AWT1G TMMBT2222awt
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 335 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBT2222AWT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt2222awt1-d.pdf NPN 600mA 40V 150mW 300MHz MMBT2222AWT1G TMMBT2222awt
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI MMBT2222AWT1G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Current gain: 35...300
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI MMBT2222AWT1G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Current gain: 35...300
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Type of transistor: NPN
товар відсутній