MMBT2369ALT1G ON Semiconductor
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2369ALT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MMBT2369ALT1G за ціною від 1.28 грн до 16.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT2369ALT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 38900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT2369ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 20...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 1725 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2369ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 20...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 22840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 22840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2369ALT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 42032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT2369ALT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 15V Switching NPN |
на замовлення 34234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT2369ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMBT2369ALT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2369ALT1G TMMBT2369a кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBT2369ALT1G-- |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||||
| MMBT2369ALT1G | Виробник : On Semiconductor |
|
на замовлення 38 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |