MMBT2907AM3T5G ON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 1.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2907AM3T5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT2907AM3T5G за ціною від 1.33 грн до 15.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT2907AM3T5G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - MMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT2907AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT2907AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 39970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBT2907AM3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 265 mW |
на замовлення 5701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT2907AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 39970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBT2907AM3T5G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT2907AM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| MMBT2907AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 7720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
MMBT2907AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
MMBT2907AM3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 265 mW |
товар відсутній |