MMBT3904LT3G ON Semiconductor
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 0.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT3904LT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT3904LT3G за ціною від 0.78 грн до 9.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT3904LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3904LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 151970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3904LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 158953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3904LT3G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN |
на замовлення 1357783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMBT3904LT3G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LT3G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
товар відсутній |