MMBT4401LT3G ON Semiconductor
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 1.3 грн |
| 20000+ | 0.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT4401LT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT4401LT3G за ціною від 0.86 грн до 11.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT4401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 9588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT3G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN |
на замовлення 22773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 0 MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 18500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 54731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 9588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
MMBT4401LT3G Код товару: 186458 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |