MMBT4403M3T5G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4403M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT4403M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 6.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT4403M3T5G ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4403M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 640mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT4403M3T5G за ціною від 2.6 грн до 25.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT4403M3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 265 mW |
на замовлення 7618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT4403M3T5G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP PNP TRANS |
на замовлення 71625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT4403M3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4403M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT4403M3T5G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT4403M3T5G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT4403M3T5G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT4403M3T5G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT4403M3T5G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT4403M3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 265 mW |
товар відсутній |