Продукція > ONSEMI > MMBT4403WT1G
MMBT4403WT1G

MMBT4403WT1G onsemi


mmbt4403wt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.72 грн
6000+ 1.57 грн
9000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT4403WT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT4403WT1G за ціною від 0.99 грн до 10.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : ONSEMI 1842037.pdf Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : onsemi MMBT4403WT1_D-2316125.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V PNP
на замовлення 22122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.32 грн
46+ 6.61 грн
100+ 3.63 грн
1000+ 1.59 грн
2500+ 1.39 грн
10000+ 1.06 грн
30000+ 0.99 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : onsemi mmbt4403wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 20308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+10 грн
41+ 6.81 грн
100+ 3.67 грн
500+ 2.71 грн
1000+ 1.88 грн
Мінімальне замовлення: 29
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : ONSEMI 1842037.pdf Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+10.3 грн
101+ 7.37 грн
166+ 4.49 грн
500+ 4.09 грн
Мінімальне замовлення: 72
MMBT4403WT1G Виробник : ONSEMI ONSMS30634-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2494095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MMBT4403WT1G mmbt4403wt1-d.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4403wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4403wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4403wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній