Технічний опис MMBT5089LT1 NS/ON
Description: TRANS NPN 25V 50MA SOT23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 225 mW.
Інші пропозиції MMBT5089LT1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MMBT5089LT1 | Виробник : ON | 07+; |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
MMBT5089LT1 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 50MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
товар відсутній |
||
MMBT5089LT1 | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN |
товар відсутній |