MMBT5401WT1G ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5401WT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT5401WT1G за ціною від 2.94 грн до 27.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT5401WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5401WT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 400 mW |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5401WT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 17700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401WT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 400 mW |
на замовлення 35024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 17700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5401WT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT High Voltage PNP Bipolar Transistor |
на замовлення 11447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401WT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |