MMBT5551-7-F
  • MMBT5551-7-F
  • MMBT5551-7-F

MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED


MMBT5551.pdf Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 80...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 300MHz
на замовлення 4875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+2.41 грн
225+ 1.67 грн
500+ 1.48 грн
625+ 1.31 грн
1700+ 1.24 грн
Мінімальне замовлення: 175
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT5551-7-F за ціною від 1.08 грн до 13.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT5551-7-F
+1
MMBT5551-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 80...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+2.9 грн
125+ 2.09 грн
500+ 1.78 грн
625+ 1.57 грн
1700+ 1.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.56 грн
9000+ 1.36 грн
24000+ 1.23 грн
45000+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6945+1.68 грн
9000+ 1.47 грн
24000+ 1.33 грн
45000+ 1.16 грн
Мінімальне замовлення: 6945
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 603000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.73 грн
9000+ 1.51 грн
24000+ 1.37 грн
45000+ 1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.25 грн
6000+ 2.01 грн
9000+ 1.67 грн
30000+ 1.54 грн
75000+ 1.38 грн
150000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : DIODES INC. DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.26 грн
1500+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : DIODES INC. DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
76+9.84 грн
111+ 6.74 грн
205+ 3.64 грн
500+ 2.26 грн
1500+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 76
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
48+12.13 грн
74+ 7.83 грн
81+ 7.2 грн
174+ 3.2 грн
250+ 2.86 грн
500+ 2.65 грн
1000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 48
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 210902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.65 грн
32+ 8.86 грн
100+ 4.32 грн
500+ 3.38 грн
1000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30061-3214431.pdf Bipolar Transistors - BJT SS NPN 300mW
на замовлення 177450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.72 грн
36+ 8.56 грн
100+ 2.86 грн
1000+ 2.13 грн
3000+ 1.46 грн
9000+ 1.33 грн
24000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 23
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMBT5551-7-F Виробник : DIODES/ZETEX MMBT5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBT5551-7-F DIODES TMMBT5551-7-F Diodes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Inc 1308ds30061.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній