Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5551LT1G
MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G ON Semiconductor

mmbt5550lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8983+1.3 грн
Мінімальне замовлення: 8983
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT5551LT1G за ціною від 0.96 грн до 13.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8197+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 8197
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 657000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.99 грн
6000+ 1.81 грн
9000+ 1.54 грн
30000+ 1.34 грн
75000+ 1.16 грн
150000+ 0.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 30...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+2.43 грн
200+ 1.88 грн
Мінімальне замовлення: 175
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 30...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+2.91 грн
125+ 2.34 грн
500+ 1.99 грн
550+ 1.79 грн
1500+ 1.69 грн
12000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 170178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : onsemi MMBT5550LT1_D-2315984.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 22602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+10.9 грн
41+ 7.6 грн
100+ 4.14 грн
1000+ 1.87 грн
2500+ 1.6 грн
10000+ 1.27 грн
30000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 29
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 657570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.55 грн
36+ 7.79 грн
100+ 4.24 грн
500+ 3.12 грн
1000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 170178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
58+13.03 грн
84+ 8.99 грн
189+ 3.98 грн
500+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 58
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMBT5551LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 8361 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBT5551LT1G Виробник : On Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товар відсутній