Продукція > ONSEMI > MMBT5551LT3G
MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G onsemi

mmbt5550lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.62 грн
30000+ 1.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551LT3G onsemi

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 225 mW.

Можливі заміни MMBT5551LT3G onsemi

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT5551 MMBT5551
Код товару: 200829 		Виробник : Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності: 1436 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+1.4 грн
10+ 0.8 грн
100+ 0.64 грн
1000+ 0.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
PMBT5551 (транзистор біполярний NPN) PMBT5551 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 20409 		Виробник : NXP/Philips PMBT5551.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,3 A
Монтаж: SMD
у наявності: 2184 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+3 грн
10+ 2.1 грн
100+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 2

Інші пропозиції MMBT5551LT3G за ціною від 0.96 грн до 11.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3139+3.73 грн
3172+ 3.69 грн
5556+ 2.11 грн
6025+ 1.87 грн
9741+ 1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3139
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
61+9.61 грн
78+ 7.47 грн
79+ 7.4 грн
166+ 3.37 грн
250+ 3.09 грн
500+ 2.94 грн
1000+ 1.68 грн
3000+ 1.55 грн
6000+ 0.96 грн
Мінімальне замовлення: 61
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 43492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.68 грн
36+ 7.87 грн
100+ 4.28 грн
500+ 3.15 грн
1000+ 2.19 грн
2000+ 1.81 грн
5000+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 25
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : onsemi MMBT5550LT1_D-2315984.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 14121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+11.73 грн
39+ 8.07 грн
100+ 3.17 грн
1000+ 1.89 грн
2500+ 1.69 грн
10000+ 1.28 грн
20000+ 1.15 грн
Мінімальне замовлення: 27
MMBT5551L
на замовлення 10667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G
Код товару: 107209 		mmbt5550lt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 30...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 30...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
товар відсутній
MMBT5551L Виробник : onsemi Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
товар відсутній