Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT589LT1G
MMBT589LT1G

MMBT589LT1G ON Semiconductor

mmbt589lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT589LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT589LT1G за ціною від 5.39 грн до 38.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : onsemi mmbt589lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.19 грн
6000+ 6.77 грн
9000+ 6 грн
30000+ 5.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ONSEMI mmbt589lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Case: SOT23
Current gain: 40...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+13.67 грн
35+ 10.61 грн
100+ 9.64 грн
120+ 6.94 грн
320+ 6.59 грн
Мінімальне замовлення: 30
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ONSEMI mmbt589lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+15.91 грн
500+ 14.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ONSEMI mmbt589lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Case: SOT23
Current gain: 40...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+16.41 грн
25+ 13.23 грн
100+ 11.57 грн
120+ 8.32 грн
320+ 7.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : onsemi mmbt589lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 47395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.42 грн
13+ 22.2 грн
100+ 11.22 грн
500+ 9.33 грн
1000+ 7.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : onsemi MMBT589LT1_D-2316327.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Switching PNP
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.65 грн
12+ 26.19 грн
100+ 14.18 грн
1000+ 7.46 грн
3000+ 6.66 грн
9000+ 5.73 грн
24000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ONSEMI mmbt589lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+38.17 грн
27+ 28.61 грн
100+ 15.91 грн
500+ 14.5 грн
Мінімальне замовлення: 20
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній