MMBT6427LT1G ON Semiconductor
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30000+ | 1.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT6427LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT6427LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції MMBT6427LT1G за ціною від 0.99 грн до 12.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT6427LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT6427LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT6427LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT6427LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT6427LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT6427LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT6427LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT6427LT1G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 500mA 40V NPN |
на замовлення 86486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT6427LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 103017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT6427LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
MMBT6427LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT6427LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MMBT6427LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
darl.NPN 1.2A 40V 350mW MMBT6427 smd TMMBT6427 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
MMBT6427LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT6427LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |