MMBT6428LT1G ON Semiconductor
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT6428LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V, Frequency - Transition: 700MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 225 mW.
Інші пропозиції MMBT6428LT1G за ціною від 1.78 грн до 16.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT6428LT1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 700MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT6428LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Kind of transistor: RF Frequency: 700MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 250...650 Collector current: 0.2A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225/0.3W |
на замовлення 625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT6428LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Kind of transistor: RF Frequency: 700MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 250...650 Collector current: 0.2A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225/0.3W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 625 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT6428LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 700MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 71815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT6428LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN |
на замовлення 111259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|