MMBT6520LT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 16.4 грн |
117+ | 6.44 грн |
500+ | 5.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT6520LT1G ONSEMI
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 225 mW.
Інші пропозиції MMBT6520LT1G за ціною від 2.44 грн до 23.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT6520LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 3394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT6520LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT6520LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT6520LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP |
на замовлення 67382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT6520LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT6520LT1G Код товару: 147958 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
MMBT6520LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT6520LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT6520LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 15...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT6520LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 225 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT6520LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 15...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
товар відсутній |