MMBTA42LT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA42LT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MMBTA42LT1G за ціною від 1.22 грн до 16.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBTA42LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 161718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 121337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 162940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V NPN |
на замовлення 230442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 121337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 500mA 300V 300mW 50MHz MMBTA42 smd ONS TMMBTA42lt1 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1840 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Транзистор NPN; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; ft, МГц = 50; hFE = 40 @ 30 мA, 10 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA; Р, Вт = 0,225 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 |
на замовлення 54 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : On Semiconductor | NPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=25...40, 50МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) |
на замовлення 86 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |