Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA56LT1G
MMBTA56LT1G

MMBTA56LT1G ON Semiconductor

mmbta55lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 145650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA56LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBTA56LT1G за ціною від 0.99 грн до 12.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.52 грн
9000+ 1.1 грн
24000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2013000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.59 грн
9000+ 1.16 грн
24000+ 1.1 грн
45000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2013000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6819+1.72 грн
9375+ 1.25 грн
24000+ 1.19 грн
45000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 6819
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013298818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.87 грн
9000+ 1.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 332637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.05 грн
6000+ 1.87 грн
9000+ 1.59 грн
30000+ 1.38 грн
75000+ 1.19 грн
150000+ 0.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5137+2.28 грн
9000+ 1.68 грн
24000+ 1.6 грн
45000+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 5137
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI 1571910.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 19197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI MMBTA55_56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
46+8.24 грн
59+ 5.91 грн
72+ 4.9 грн
126+ 2.77 грн
250+ 2.73 грн
500+ 2.44 грн
573+ 1.41 грн
1574+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 46
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI MMBTA55_56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+9.89 грн
36+ 7.37 грн
43+ 5.87 грн
100+ 3.33 грн
250+ 3.28 грн
500+ 2.93 грн
573+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 28
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
58+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 58
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : onsemi MMBTA55LT1_D-2316071.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
на замовлення 253585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+10.9 грн
42+ 7.37 грн
100+ 3.27 грн
1000+ 1.94 грн
2500+ 1.54 грн
10000+ 1.27 грн
30000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 29
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 332637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+12.28 грн
35+ 8.14 грн
100+ 4.37 грн
500+ 3.23 грн
1000+ 2.24 грн
Мінімальне замовлення: 24
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI 1571910.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 19197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
61+12.28 грн
85+ 8.84 грн
141+ 5.35 грн
500+ 4.87 грн
Мінімальне замовлення: 61
MMBTA56LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbta55lt1-d.pdf PNP 500mA 80V 225mW 50MHz MMBTA56 TMMBTA56lt1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
400+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 400
MMBTA56LT1G
Код товару: 177590 		mmbta55lt1-d.pdf Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній