MMBTA64LT1G ON Semiconductor
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA64LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 500mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MMBTA64LT1G за ціною від 1.27 грн до 13.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBTA64LT1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTA64LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTA64LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 11375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA64LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTA64LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA64LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 11375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTA64LT1G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 500mA 30V PNP |
на замовлення 23735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA64LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 8135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA64LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MMBTA64LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |