MMBTH10LT1G ON
у наявності 253 шт:
170 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
49 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.5 грн |
100+ | 2.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MMBTH10LT1G за ціною від 1.84 грн до 21.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 60...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 650MHz |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 60...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 650MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 330 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
на замовлення 121588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN |
на замовлення 2348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1020719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G-- |
на замовлення 42200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
З цим товаром купують
Z65J PS (Kradex) корпус, світло-сірий, 30х40х64мм, комплект Код товару: 24180 |
Виробник: Kradex
Корпусні та встановлювальні вироби > Корпуси
Опис: Корпус пластиковий герметичний
Вид, тип, група: Корпуси герметичні
Матеріал: Пластик/PS (полістирол)
Колір: світло-сірий
Довжина, мм: 64,0 mm
Ширина, мм: 40,0 mm
Висота, мм: 30,3 mm
Корпусні та встановлювальні вироби > Корпуси
Опис: Корпус пластиковий герметичний
Вид, тип, група: Корпуси герметичні
Матеріал: Пластик/PS (полістирол)
Колір: світло-сірий
Довжина, мм: 64,0 mm
Ширина, мм: 40,0 mm
Висота, мм: 30,3 mm
у наявності: 43 шт
очікується:
29 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 85 грн |
10+ | 78 грн |
330nF 25V X7R 10% 0805 3k/reel (C0805B334K250N3-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 19361 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 330 nF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 330 nF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 1560 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 1 грн |
100+ | 0.8 грн |
1000+ | 0.7 грн |
SST5484 Код товару: 17970 |
товар відсутній
100uF 16V E5R 6,3x5mm (E5R101M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 14183 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: E5R
Тип: ультрамініатюрні (висота 5мм), 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х5mm
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: E5R
Тип: ультрамініатюрні (висота 5мм), 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х5mm
у наявності: 11689 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.7 грн |
100+ | 1.4 грн |
1000+ | 1.1 грн |
DP-25C (DSC-225) (корпус до роз'єму) Код товару: 11349 |
Виробник: CviLux
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інтерфейсні (D-SUB та ін.)
Вилка або розетка: Деталі роз'ємів, корпуси
К-сть контактів: 25
Серія: DB
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інтерфейсні (D-SUB та ін.)
Вилка або розетка: Деталі роз'ємів, корпуси
К-сть контактів: 25
Серія: DB
у наявності: 91 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 12 грн |
10+ | 11 грн |