Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBZ12VALT1G
MMBZ12VALT1G

MMBZ12VALT1G ON Semiconductor

mmbz5v6alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 12Vbr 17Vc 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBZ12VALT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85363010, Bauform - Diode: SOT-23, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 11.4V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 12.6V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 8.5V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 40W, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBZ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Klemmspannung, max.: 17V.

Інші пропозиції MMBZ12VALT1G за ціною від 1.05 грн до 18.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : ONSEMI 2236796.pdf Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 12.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 8.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf Description: TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.02 грн
6000+ 2.53 грн
15000+ 2.15 грн
30000+ 1.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : onsemi MMBZ5V6ALT1_D-2315988.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes 12V Dual Zener Common Anode
на замовлення 56457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.63 грн
28+ 11.18 грн
100+ 4 грн
1000+ 2.8 грн
3000+ 2.13 грн
9000+ 1.8 грн
24000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 19
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf Description: TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 31338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.29 грн
21+ 13.6 грн
100+ 7.21 грн
500+ 4.45 грн
1000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 17
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : ONSEMI 1707240.pdf Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 12.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 8.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+18.75 грн
60+ 12.63 грн
150+ 5.01 грн
500+ 2.97 грн
Мінімальне замовлення: 40
MMBZ12VALT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbz5v6alt1-d.pdf 12V; 40W; 12V; 40W; MMBZ12VALT1G SOT-23 DTMMBZ12VALT1G
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
600+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 600
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : ONSEMI MMBZ_ser.PDF Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5%
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Peak pulse power dissipation: 40W
Case: SOT23
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 8.5V
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward impulse current: 2.35A
Breakdown voltage: 12V
Leakage current: 0.2µA
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Виробник : ONSEMI MMBZ_ser.PDF Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5%
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Peak pulse power dissipation: 40W
Case: SOT23
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 8.5V
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward impulse current: 2.35A
Breakdown voltage: 12V
Leakage current: 0.2µA
товар відсутній