MMBZ18VALT1G ON Semiconductor
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBZ18VALT1G ON Semiconductor
Description: DIODE ZENER 14.5V SOT23-3, Tolerance: ±5%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Configuration: 1 Pair Common Anode, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.5 V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 17.1V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No, Part Status: Active, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 14.5 V.
Інші пропозиції MMBZ18VALT1G за ціною від 1.34 грн до 15.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor | ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor | ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBZ18VALT1G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE ZENER 14.5V SOT23-3 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Configuration: 1 Pair Common Anode Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.5 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 17.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Part Status: Active Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 14.5 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor | ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor | ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBZ18VALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 18V; 1.6A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 18V Max. forward impulse current: 1.6A Peak pulse power dissipation: 40W Semiconductor structure: common anode; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 14.5V Features of semiconductor devices: ESD protection Leakage current: 50nA Kind of package: reel; tape Tolerance: ±5% |
на замовлення 5415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBZ18VALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ18VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 17.1V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 18.9V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 14.5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 25V |
на замовлення 8883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBZ18VALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 18V; 1.6A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 18V Max. forward impulse current: 1.6A Peak pulse power dissipation: 40W Semiconductor structure: common anode; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 14.5V Features of semiconductor devices: ESD protection Leakage current: 50nA Kind of package: reel; tape Tolerance: ±5% кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5415 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBZ18VALT1G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE ZENER 14.5V SOT23-3 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Configuration: 1 Pair Common Anode Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.5 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 17.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Part Status: Active Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 14.5 V |
на замовлення 23412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBZ18VALT1G | Виробник : onsemi | ESD Suppressors / TVS Diodes 15V 225mW Dual Common Anode |
на замовлення 59670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor | ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBZ18VALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ18VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 17.1V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 18.9V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 14.5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 25V |
на замовлення 8883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor | ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor | ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor | ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor | ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |