Продукція > MMD > MMDF3N02HDR2G

MMDF3N02HDR2G


mmdf3n02hd-d.pdf Виробник:

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMDF3N02HDR2G

Description: MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 16 V.

Інші пропозиції MMDF3N02HDR2G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMDF3N02HDR2G MMDF3N02HDR2G Виробник : ON Semiconductor mmdf3n02hd-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
MMDF3N02HDR2G MMDF3N02HDR2G Виробник : onsemi mmdf3n02hd-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 16 V
товар відсутній
MMDF3N02HDR2G MMDF3N02HDR2G Виробник : onsemi MMDF3N02HD_D-2316096.pdf MOSFET NFET SO8D 20V 3.8A 90mOhm
товар відсутній