Технічний опис MMIX1X340N65B4 IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 650V; 295A; 1.2kW; SMPD, Technology: BiMOSFET™; GenX3™; XPT™, Mounting: SMD, Case: SMPD, Kind of package: tube, Power dissipation: 1.2kW, Collector-emitter voltage: 650V, Gate charge: 553nC, Pulsed collector current: 1.2kA, Type of transistor: IGBT, Turn-on time: 119ns, Turn-off time: 346ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 295A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MMIX1X340N65B4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MMIX1X340N65B4 | Виробник : Littelfuse |
 High Performance 650V IGBT Chip |
товар відсутній |
|
| MMIX1X340N65B4 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 650V; 295A; 1.2kW; SMPD Technology: BiMOSFET™; GenX3™; XPT™ Mounting: SMD Case: SMPD Kind of package: tube Power dissipation: 1.2kW Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 553nC Pulsed collector current: 1.2kA Type of transistor: IGBT Turn-on time: 119ns Turn-off time: 346ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 295A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| MMIX1X340N65B4 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors IGBT SMPD PKG-STANDARD |
товар відсутній |
||
| MMIX1X340N65B4 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 650V; 295A; 1.2kW; SMPD Technology: BiMOSFET™; GenX3™; XPT™ Mounting: SMD Case: SMPD Kind of package: tube Power dissipation: 1.2kW Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 553nC Pulsed collector current: 1.2kA Type of transistor: IGBT Turn-on time: 119ns Turn-off time: 346ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 295A |
товар відсутній |