MMJT350T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 650 mW
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 26.37 грн |
2000+ | 23.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMJT350T1G onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 650 mW.
Інші пропозиції MMJT350T1G за ціною від 29.79 грн до 61.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMJT350T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 650 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
MMJT350T1G | Виробник : ON |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
MMJT350T1G | Виробник : ON | 10+ BGA |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
MMJT350T1G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 478 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
MMJT350T1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP S0T223 PNP 0.5A 300V |
товар відсутній |