MMRF1022HSR5 NXP Semiconductors


mmrf1022hs.pdfwt_assetdocumentationwt_file_format.pdf Виробник: NXP Semiconductors
RF POWER LDMOS TRANSISTOR
на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+19896.86 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMRF1022HSR5 NXP Semiconductors

Description: FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230S-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4LS2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.14GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 63W, Gain: 16.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 500 mA.

Інші пропозиції MMRF1022HSR5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMRF1022HSR5 MMRF1022HSR5 Виробник : NXP USA Inc. MMRF1022HS.pdf Description: FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230S-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.14GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 63W
Gain: 16.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 500 mA
товар відсутній
MMRF1022HSR5 Виробник : NXP Semiconductors MMRF1022HS.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V
товар відсутній