MMRF1312HSR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-1230-4S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.034GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1000W
Gain: 19.6dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 112 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-1230-4S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.034GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1000W
Gain: 19.6dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 112 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 38832.51 грн |
| 10+ | 36269.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1312HSR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4S, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.034GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1000W, Gain: 19.6dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 112 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MMRF1312HSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMRF1312HSR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.034GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 19.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4S Part Status: Active Voltage - Rated: 112 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товар відсутній |
|
 |
MMRF1312HSR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V |
товар відсутній |