MMUN2113LT3G ON Semiconductor
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40000+ | 1.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMUN2113LT3G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції MMUN2113LT3G за ціною від 0.8 грн до 9.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMUN2113LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMUN2113LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMUN2113LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 18720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMUN2113LT3G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V |
на замовлення 29127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMUN2113LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MMUN2113LT3G |
|
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
MMUN2113LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMUN2113LT3G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 47kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Current gain: 80...140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMUN2113LT3G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 47kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Current gain: 80...140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
товар відсутній |