MMUN2131LT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.44 грн |
| 6000+ | 1.31 грн |
| 9000+ | 1.12 грн |
| 30000+ | 0.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMUN2131LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMUN2131LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.
Інші пропозиції MMUN2131LT1G за ціною від 0.87 грн до 10.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMUN2131LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2131LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 7020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMUN2131LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMUN2131LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 575 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMUN2131LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMUN2131LT1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP |
на замовлення 2525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMUN2131LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2131LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 7020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMUN2131LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2131LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
MMUN2131LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMUN2131LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |