Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2132LT1G
MMUN2132LT1G

MMUN2132LT1G ON Semiconductor

78742086119902dta143e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2132LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції MMUN2132LT1G за ціною від 0.78 грн до 9.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
57000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 57000
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1 грн
12000+ 0.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
572+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 572
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10792+1.08 грн
13889+ 0.84 грн
Мінімальне замовлення: 10792
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : onsemi dta143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.44 грн
6000+ 1.31 грн
9000+ 1.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ONSEMI 1760844.pdf Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 11860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : onsemi dta143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 30138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.64 грн
49+ 5.69 грн
100+ 3.06 грн
500+ 2.26 грн
1000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : onsemi DTA143E_D-2310818.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 9921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.4 грн
50+ 6.13 грн
118+ 2.26 грн
1000+ 1.4 грн
3000+ 1.2 грн
9000+ 0.93 грн
24000+ 0.87 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ONSEMI 2354489.pdf Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 11860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
78+9.64 грн
110+ 6.83 грн
263+ 2.85 грн
500+ 2.59 грн
Мінімальне замовлення: 78
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMUN2132LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809227-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 495200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28735+1.2 грн
Мінімальне замовлення: 28735
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ONSEMI MMUN2132.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ONSEMI MMUN2132.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
товар відсутній