Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2213LT1G
MMUN2213LT1G

MMUN2213LT1G ON Semiconductor

dtc144e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2213LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MMUN2213LT1G за ціною від 0.65 грн до 10.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 642000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
48000+0.93 грн
60000+ 0.85 грн
150000+ 0.75 грн
Мінімальне замовлення: 48000
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.2 грн
9000+ 0.88 грн
30000+ 0.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : onsemi dtc144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.46 грн
6000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ONSEMI DTC144E_MUNx213.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
161+2.34 грн
232+ 1.5 грн
500+ 1.21 грн
766+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 161
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2654649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4688+2.5 грн
7538+ 1.55 грн
9375+ 1.25 грн
13044+ 0.87 грн
30000+ 0.73 грн
Мінімальне замовлення: 4688
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ONSEMI 1713961.pdf Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 54200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ONSEMI DTC144E_MUNx213.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
97+2.8 грн
139+ 1.87 грн
500+ 1.45 грн
766+ 1.26 грн
2107+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 97
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2654649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
69+8.52 грн
120+ 4.84 грн
250+ 2.32 грн
1000+ 1.39 грн
3000+ 1.03 грн
9000+ 0.71 грн
30000+ 0.65 грн
Мінімальне замовлення: 69
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : onsemi dtc144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 10624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.67 грн
49+ 5.77 грн
100+ 3.1 грн
500+ 2.29 грн
1000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : onsemi DTC144E_D-2310824.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 25032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+8.72 грн
55+ 5.6 грн
115+ 2.34 грн
1000+ 1.34 грн
3000+ 1.07 грн
9000+ 0.87 грн
48000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 36
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ONSEMI 1713961.pdf Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 54200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+10.04 грн
116+ 6.5 грн
246+ 3.06 грн
500+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 75
MMUN2213LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2213LT1G TMMUN2213
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G
Код товару: 61591 		dtc144e-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній