Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2214LT1G
MMUN2214LT1G

MMUN2214LT1G ON Semiconductor

dtc114y-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2214LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції MMUN2214LT1G за ціною від 0.8 грн до 10.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.46 грн
6000+ 1.33 грн
9000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ONSEMI MMUN2214.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 6560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
140+2.73 грн
240+ 1.45 грн
500+ 1.37 грн
780+ 1.05 грн
2120+ 0.99 грн
Мінімальне замовлення: 140
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 56401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.8 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ONSEMI MMUN2214.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 6560 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+3.28 грн
160+ 1.81 грн
500+ 1.64 грн
780+ 1.26 грн
2120+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : onsemi DTC114Y_D-2311148.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 58229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.94 грн
55+ 5.6 грн
100+ 3.14 грн
1000+ 1.34 грн
3000+ 1.2 грн
9000+ 0.87 грн
45000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 40
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+8.36 грн
96+ 6.07 грн
97+ 6.02 грн
218+ 2.57 грн
Мінімальне замовлення: 70
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 11881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.67 грн
49+ 5.77 грн
100+ 3.1 грн
500+ 2.29 грн
1000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 56401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
71+10.63 грн
100+ 7.49 грн
244+ 3.07 грн
500+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 71
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMUN2214LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2214LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2214LT1G Виробник : On Semiconductor dtc114y-d.pdf TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
на замовлення 3193 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній