Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2215LT1G
MMUN2215LT1G

MMUN2215LT1G ON Semiconductor

dtc114t-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4532+2.57 грн
6522+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 4532
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2215LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MMUN2215LT1G за ціною від 0.86 грн до 10.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Виробник : ONSEMI 1708320.pdf Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 38305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Виробник : ONSEMI MMUN2215.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
115+3.24 грн
255+ 1.36 грн
500+ 1.21 грн
Мінімальне замовлення: 115
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Виробник : ONSEMI MMUN2215.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 520 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+3.89 грн
155+ 1.7 грн
500+ 1.45 грн
805+ 1.2 грн
2210+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 70
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Виробник : onsemi dtc114t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 4592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.62 грн
49+ 5.74 грн
100+ 3.09 грн
500+ 2.28 грн
1000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
66+8.82 грн
106+ 5.46 грн
242+ 2.39 грн
1000+ 1.6 грн
3000+ 1.07 грн
Мінімальне замовлення: 66
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
64+9.01 грн
65+ 8.98 грн
100+ 8.65 грн
250+ 7.99 грн
500+ 7.66 грн
1000+ 7.65 грн
3000+ 7.64 грн
Мінімальне замовлення: 64
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Виробник : onsemi DTC114T_D-2310892.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 17117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.38 грн
48+ 6.42 грн
115+ 2.32 грн
1000+ 1.39 грн
3000+ 1.2 грн
9000+ 0.93 грн
45000+ 0.86 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1210+9.62 грн
1212+ 9.61 грн
3000+ 9.59 грн
Мінімальне замовлення: 1210
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Виробник : ONSEMI 1708320.pdf Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 38305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+10.36 грн
105+ 7.15 грн
256+ 2.92 грн
500+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 72
MMUN2215LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2572385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Виробник : onsemi dtc114t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
товар відсутній