MRF300AN NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Frequency: 27MHz ~ 250MHz
Power - Output: 300W
Gain: 28dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Voltage - Test: 50 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3530.5 грн |
| 10+ | 3172.28 грн |
| 30+ | 3039.3 грн |
| 120+ | 2584.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF300AN NXP USA Inc.
Description: NXP - MRF300AN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MRF300AN за ціною від 2663.08 грн до 5545.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF300AN | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRF300AN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 133V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 250MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MRF300AN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MRF300AN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MRF300AN | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V |
на замовлення 234 шт: термін постачання 91-100 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MRF300AN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MRF300AN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MRF300AN |
|
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
MRF300AN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MRF300AN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| MRF300AN | Виробник : NXP |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 50V; TO247-3; THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 50V Case: TO247-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Electrical mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| MRF300AN | Виробник : NXP |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 50V; TO247-3; THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 50V Case: TO247-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Electrical mounting: THT |
товар відсутній |