MRF300BN NXP Semiconductors
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3099.7 грн |
| 10+ | 2968.19 грн |
| 25+ | 2898.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF300BN NXP Semiconductors
Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MRF300BN за ціною від 2634.44 грн до 5310.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRF300BN | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MRF300BN | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Frequency: 27MHz ~ 250MHz Power - Output: 300W Gain: 18.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Voltage - Test: 50 V |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MRF300BN | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 133V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 250MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MRF300BN | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MRF300BN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MRF300BN |
|
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
MRF300BN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
MRF300BN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |