Технічний опис MRF8P29300HR6 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 30V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.9GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 320W, Gain: 13.3dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 30 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MRF8P29300HR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF8P29300HR6 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 30V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.9GHz Configuration: Dual Power - Output: 320W Gain: 13.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 30 V Current - Test: 100 mA |
товар відсутній |
|
 |
MRF8P29300HR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors HV8 300W 50V NI1230 |
товар відсутній |