MSC060SMA070B4

MSC060SMA070B4 Microchip Technology


1244596-msc060sma070b4-datasheet Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V
на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+678.12 грн
25+ 602.27 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC060SMA070B4 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - MSC060SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 700 V, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 143W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції MSC060SMA070B4 за ціною від 494.03 грн до 1049.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MSC060SMA070B4 MSC060SMA070B4 Виробник : MICROCHIP 3683079.pdf Description: MICROCHIP - MSC060SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 700 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+698 грн
25+ 644.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSC060SMA070B4 MSC060SMA070B4 Виробник : Microchip Technology Microsemi_MSC060SMA070B4_SiC_MOSFET_Datasheet_RevA-2934517.pdf MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+718.91 грн
30+ 653.36 грн
120+ 494.03 грн
MSC060SMA070B4 MSC060SMA070B4 Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 1244596-msc060sma070b4-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 56nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 100A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 28A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+874.74 грн
2+ 561.21 грн
3+ 560.52 грн
4+ 529.92 грн
MSC060SMA070B4 MSC060SMA070B4 Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 1244596-msc060sma070b4-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 56nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 100A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 28A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1049.69 грн
2+ 699.36 грн
3+ 672.62 грн
4+ 635.9 грн
MSC060SMA070B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc060sma070b4_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+672.47 грн
MSC060SMA070B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc060sma070b4_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+724.2 грн
Мінімальне замовлення: 17
MSC060SMA070B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc060sma070b4_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+772.28 грн
Мінімальне замовлення: 16
MSC060SMA070B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc060sma070b4_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+1011.12 грн
60+ 942.15 грн
120+ 889.88 грн
180+ 818.98 грн
Мінімальне замовлення: 30
MSC060SMA070B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc060sma070b4_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
товар відсутній
MSC060SMA070B4 Виробник : Microchip Technology microsemi_msc060sma070b4_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній