MSCSM120AM02CT6LIAG

MSCSM120AM02CT6LIAG Microchip Technology


Microsemi_MSCSM120AM02CT6LIAG_Very_Low_Stray_Induc-2934496.pdf Виробник: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+112618.35 грн
100+ 82464.12 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSCSM120AM02CT6LIAG Microchip Technology

Description: SIC 2N-CH 1200V 947A SP6C LI, Packaging: Tube, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N Channel (Phase Leg), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 3.75kW (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 947A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36240pF @ 1000V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 480A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2784nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 12mA, Supplier Device Package: SP6C LI, Part Status: Active.

Інші пропозиції MSCSM120AM02CT6LIAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MSCSM120AM02CT6LIAG Виробник : Microchip Technology y_low_stray_inductance_phase_leg_sic_mosfet_power_module.pdf Very Low Stray Inductance Phase Leg SiC MOSFET Power Module
товар відсутній
MSCSM120AM02CT6LIAG Виробник : Microchip Technology y_low_stray_inductance_phase_leg_sic_mosfet_power_module.pdf Very Low Stray Inductance Phase Leg SiC MOSFET Power Module
товар відсутній
MSCSM120AM02CT6LIAG Виробник : Microchip Technology y_low_stray_inductance_phase_leg_sic_mosfet_power_module.pdf Very Low Stray Inductance Phase Leg SiC MOSFET Power Module
товар відсутній
MSCSM120AM02CT6LIAG MSCSM120AM02CT6LIAG Виробник : Microchip Technology 1244801-mscsm120am02ct6liag-datasheet Description: SIC 2N-CH 1200V 947A SP6C LI
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 3.75kW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 947A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36240pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 480A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2784nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 12mA
Supplier Device Package: SP6C LI
Part Status: Active
товар відсутній