MSCSM120AM16CT1AG Microchip Technology
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 16073.8 грн |
| 100+ | 13731.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM120AM16CT1AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP1F; Press-in PCB, Case: SP1F, Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor, Pulsed drain current: 350A, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 138A, On-state resistance: 16mΩ, Power dissipation: 745W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSCSM120AM16CT1AG за ціною від 17034.42 грн до 17034.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg "MSCSM120AM16CT1AG") |
MSCSM120AM16CT1AG | Виробник : Microchip Technology |
 Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| MSCSM120AM16CT1AG | Виробник : Microchip Technology |
Phase Leg Sic Mosfet Power Module |
товар відсутній |
||||||
| MSCSM120AM16CT1AG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP1F; Press-in PCB Case: SP1F Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 350A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 745W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
| MSCSM120AM16CT1AG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP1F; Press-in PCB Case: SP1F Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 350A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 745W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC |
товар відсутній |