MSCSM70AM07CT3AG Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: SIC 2N-CH 700V 353A SP3F
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 988W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 353A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 700V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 120A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 645nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 12mA
Supplier Device Package: SP3F
Description: SIC 2N-CH 700V 353A SP3F
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 988W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 353A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 700V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 120A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 645nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 12mA
Supplier Device Package: SP3F
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24111.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM70AM07CT3AG Microchip Technology
Description: SIC 2N-CH 700V 353A SP3F, Packaging: Tube, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N Channel (Phase Leg), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 988W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 700V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 353A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 700V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 120A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 645nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 12mA, Supplier Device Package: SP3F.
Інші пропозиції MSCSM70AM07CT3AG за ціною від 19177.81 грн до 28703.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSCSM70AM07CT3AG | Виробник : Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
MSCSM70AM07CT3AG | Виробник : Microchip Technology / Atmel | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F |
на замовлення 3 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
|
|||||||
MSCSM70AM07CT3AG | Виробник : Microchip Technology | Phase Leg Sic Mosfet Power Module |
товар відсутній |
||||||||
MSCSM70AM07CT3AG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 281A; SP3F; Press-in PCB; 988W Case: SP3F Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 700A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 700V Drain current: 281A On-state resistance: 6.4mΩ Power dissipation: 988W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
MSCSM70AM07CT3AG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 281A; SP3F; Press-in PCB; 988W Case: SP3F Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 700A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 700V Drain current: 281A On-state resistance: 6.4mΩ Power dissipation: 988W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC |
товар відсутній |