MSD601-RT1G ON Semiconductor
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 356+ | 1.63 грн |
| 362+ | 1.6 грн |
| 367+ | 1.58 грн |
| 374+ | 1.49 грн |
| 380+ | 1.36 грн |
| 500+ | 1.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSD601-RT1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції MSD601-RT1G за ціною від 1.6 грн до 15.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSD601-RT1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MSD601-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MSD601-RT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 16629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MSD601-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MSD601-RT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN |
на замовлення 4001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MSD601-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MSD601-RT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSD601-RT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MSD601-RT1G | Виробник : ON |
00+ SOT-23 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| MSD601-RT1G | Виробник : ON |
09+ |
на замовлення 195018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| MSD601-RT1G | Виробник : ON |
SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| MSD601-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 5200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
MSD601-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MSD601-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MSD601-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |