MSE1PBHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4500+ | 5.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSE1PBHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: MicroSMP, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 780 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V.
Інші пропозиції MSE1PBHM3/89A за ціною від 3.14 грн до 26.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSE1PBHM3/89A | Виробник : Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 20 Amp IFSM |
на замовлення 8223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MSE1PBHM3/89A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: MicroSMP Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 780 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V |
на замовлення 8893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MSE1PBHM3/89A |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
MSE1PBHM3/89A | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 780ns Automotive 2-Pin Micro SMP T/R |
товар відсутній |