Продукція > MTB > MTB50P03HDLT4

MTB50P03HDLT4


MTB50P03HDL.pdf Виробник:

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MTB50P03HDLT4

Description: MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MTB50P03HDLT4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MTB50P03HDLT4 MTB50P03HDLT4 Виробник : onsemi MTB50P03HDL.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
товар відсутній