Продукція > ONSEMI > MTD10N10ELT4
MTD10N10ELT4

MTD10N10ELT4 onsemi


mtd10n10el-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MTD10N10ELT4 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 5A, 5V, Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MTD10N10ELT4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MTD10N10ELT4 MTD10N10ELT4 Виробник : onsemi mtd10n10el-d.pdf MOSFET
товар відсутній