на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3705.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUBW35-12A7 Littelfuse
Description: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2, Packaging: Box, Package / Case: E2, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter with Brake, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: E2, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 225 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V.
Інші пропозиції MUBW35-12A7 за ціною від 6547.11 грн до 9722.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MUBW35-12A7 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225W 24-Pin |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
MUBW35-12A7 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225W 24-Pin |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
MUBW35-12A7 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225W 24-Pin |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
MUBW35-12A7 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225mW 24-Pin |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
| MUBW35-12A7 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2 Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 35A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 225 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||
 |
MUBW35-12A7 | Виробник : IXYS |
IGBT Modules 35 Amps 1200V |
товар відсутній |
|||||
 |
MUBW35-12A7 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; 225W Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 35A Case: E2-Pack Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 70A Power dissipation: 225W Technology: NPT Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |