MUN2113T1G ON Semiconductor
на замовлення 35569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9494+ | 1.23 грн |
| 9934+ | 1.17 грн |
| 10490+ | 1.11 грн |
| 11030+ | 1.02 грн |
| 15000+ | 0.89 грн |
| 30000+ | 0.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN2113T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MUN2113T1G за ціною від 0.64 грн до 10.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MUN2113T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 21911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2113T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 35569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MUN2113T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MUN2113T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 14475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2113T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 21911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2113T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 14475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2113T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 15364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MUN2113T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V |
на замовлення 17233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MUN2113T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2113T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MUN2113T1G | Виробник : ON |
08+ SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| MUN2113T1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
MUN2113T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
MUN2113T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
MUN2113T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
MUN2113T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |