MUN2213T1G ON Semiconductor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9804+ | 1.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN2213T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 338 mW, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції MUN2213T1G за ціною від 1.14 грн до 12.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MUN2213T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MUN2213T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2213T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 39202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MUN2213T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 47kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.23W Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2213T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 1821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2213T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 47kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.23W Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2213T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 39202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MUN2213T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 21998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2213T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 12257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN2213T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 1821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
 |
MUN2213T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
MUN2213T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
MUN2213T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |