Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN2233T1G
MUN2233T1G

MUN2233T1G ON Semiconductor

dtc143z-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2233T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MUN2233T1G за ціною від 1.13 грн до 12.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 12000
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.57 грн
6000+ 1.56 грн
9000+ 1.51 грн
15000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7390+1.58 грн
7463+ 1.56 грн
9000+ 1.51 грн
15000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 7390
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.82 грн
6000+ 1.65 грн
9000+ 1.41 грн
30000+ 1.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ONSEMI MUN2233.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.23W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC59
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
115+3.28 грн
215+ 1.62 грн
500+ 1.43 грн
635+ 1.29 грн
Мінімальне замовлення: 115
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.35 грн
1000+ 2.11 грн
3000+ 1.71 грн
6000+ 1.38 грн
12000+ 1.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ONSEMI MUN2233.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.23W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC59
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+3.93 грн
130+ 2.02 грн
500+ 1.71 грн
635+ 1.54 грн
1740+ 1.46 грн
12000+ 1.44 грн
Мінімальне замовлення: 70
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : onsemi DTC143Z_D-2310985.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 19849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.38 грн
44+ 7.03 грн
100+ 2.79 грн
1000+ 1.79 грн
3000+ 1.46 грн
9000+ 1.39 грн
24000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 34
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 57061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+10.78 грн
39+ 7.13 грн
100+ 3.87 грн
500+ 2.85 грн
1000+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+12.67 грн
62+ 12.07 грн
118+ 6.32 грн
500+ 3.35 грн
1000+ 2.11 грн
3000+ 1.71 грн
6000+ 1.38 грн
12000+ 1.35 грн
Мінімальне замовлення: 59
MUN2233T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0000224346-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN2233T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 175529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22727+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 22727
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній