MUN5111DW1T1G

MUN5111DW1T1G ON Semiconductor


dta114ed-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5111DW1T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції MUN5111DW1T1G за ціною від 2.43 грн до 17.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : onsemi dta114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.29 грн
20+ 14.08 грн
100+ 7.45 грн
500+ 4.6 грн
1000+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 17
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ON Semiconductor DTA114ED-D-1387513.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 26350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5111DW1T1G Виробник : ONSEMI dta114ed-d.pdf MUN5111DW1T1G PNP SMD transistors
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+8.28 грн
380+ 2.57 грн
1040+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 33
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : onsemi dta114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товар відсутній