MUN5112T1G ON Semiconductor
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 523+ | 1.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5112T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.
Інші пропозиції MUN5112T1G за ціною від 1.02 грн до 12.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5112T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
на замовлення 13240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5112T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP |
на замовлення 9435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MUN5112T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5112T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 467900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MUN5112T1G |
|
на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |